19. Понятие об «эпитаксии» и об «эвтетике».

Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией.

Эпитаксия особенно легко осуществляется, если различие постоянных решёток не превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют дислокации несоответствия.

Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной.

Эпитаксия является одним из базовых процессов технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.

ЭВТЕКТИКА [εΰ (эу)— хорошо, легко; τεκτος (ςектос) — расплав] — 1. Расплав, представляющий собой смесь двух или нескольких компонентов и кристаллизующийся при самой низкой температуре из всех возможных для смесей этих веществ путем одновременного выделения компонентов. Твердые фазы, образующие Э., могут быть хим. индивидами или м-лами. По числу твердых фаз различают Э. двойные, тройные и т. д. 2. Нонвариантная точка на диаграмме плавкости, отвечающая наиболее легкоплавкой смеси из двух или более м-лов (компонентов). В этой точке расплав насыщен обоими компонентами, которые кристаллизуются одновременно, образуя эвтектическую структуру.